BL3 - 表面X線吸収微細構造観測装置
1、概要
BL3は、主に固体表面の軽元素、分子の吸着構造及び電子状態を観測する目的で設置され、比較的高いエネルギーの軟X線領域を分光するビームラインです。末端装置には蛍光X線検出器を備え、
X線吸収微細構造(XAFS)の観測を行うことができます。光学系の概略図を図1に示します。光源には偏向磁石が使われており、偏向磁石部から発生した放射光をビームラインの1:2の配置で集光する前置鏡
(入射角1度)と1軸回転駆動で分光結晶の並進も行えるゴロブチェンコ型の分光器で構成しております。また、2結晶分光部にはInSb(111)
Si(111)二種類の分光結晶を内蔵しており、必要なエネルギー領域に応じて真空を破る事無く分光結晶の交換が容易に行えるようになっております。さらに、炭素フィルター(厚さ:8
μm)をビームラインの上流に設置して、第一結晶に与える熱負荷を軽減しかつ、迷光の除去を行ってます。末端装置には表面XAFS
測定装置を備えており、清浄表面作製やその清浄表面に分子を吸着させた試料を用いて表面XAFS・ESCA測定
を行えるよう整備しております。

図1:光学系の配置図 (Side View)
2、現在の性能
- ビーム強度
- 〜1010 photons (Ring Current = 100 mA) (図2参照)
- エネルギー分解能
- InSb(111) : E/ΔE =2353 hν= 3200eV

図2:ビーム強度のプロファイル
図3にArのK端NEXAFSスペクトルを示す。ビームラインと末端装置を併せた装置全体のエネルギー分解能が
E/ΔE = 2350程度に達しているのがわかる。

図3:ArのK-edge NEXAFSスペクトル
3、末端装置の装備
- 電子エネルギー分析器 : Ulvac phi
- 蛍光X線検出器(比例計数管) : 手製
- X線管 : Twin-Anode type (Al:1486.6 eV, Mg:1253.6 eV)
- LEED/AES
- イオン銃
- 電子銃